| 加工定制：是 | 品牌：锋浩 | 型号：295W |
| 类型：层压太阳能电池板/组件 | 最大功率：295W | 工作电流：8.9A |
| 工作电压：30V | 系统电压：1000V | 开路电压：36V |
| 短路电流：9.8A | 电池数量：60个,只 | 外形尺寸：1640*990mm |
| 参考重量：20KG | 产品认证：CE |
295W单晶太阳能板|太阳能板|290W太阳能板生产厂家
光伏技术的未来在哪里?答案当然是：更高的光电转换效率与***的度电成本。
光伏产业发展至今，“效率”与“成本”始终是产业发展的关键词。太阳能能量密度低，收集成本高，所以这一特点决定了降低光伏发电成本的最主要方式，就是提高组件转换效率。组件转换效率每提高1个***点，光伏发电成本就能降低6%以上。
正因为如此，光伏制造技术发展的核心就是提高光电转换效率。过去几年，无论单晶还是多晶电池，都保持了每年约0.3%～0.4%的效率提升。随着“***”计划的推出，中国光伏行业制造水平、应用水平、标准及测试等方面均整体大幅提升，在组件产品转换效率提升方面促进作用更是明显。
目前，我国光伏设备行业已经全面进入拼质量、拼效率的时代。按照国家能源局提出的发展目标，到“十三五”末，太阳能发电规模要比2015年翻两番，成本下降30%。光伏***技术之争，将直接决定着整个产业发展目标能不能顺利实现。
在未来，哪些技术能够***，走到所有技术的***?华夏能源网(微信号sinoergy_com)特别对目前比较***的光伏技术做了细致的梳理，这六大***技术，很可能就决定着中国乃至全球光伏产业的未来，让我们一起看看他们到底***在哪里!
PERC电池技术
PERC(Passivated Emitter and Rear Cell)电池通过在电池背面实行钝化技术，增强光线的内背反射，降低了背面复合，从而使电池的效率能够有效提高。PERC电池技术拥有广泛的应用前景。
相比一般电池技术，PERC电池增加了两道额外的工序：背面钝化层的沉积和激光开槽。因为需增加两套设备的投资，按目前的生产情况传递到组件端单瓦成本略高，但随着生产规模的扩大及专用原材料费用的降低，PERC组件的成本将低于常规组件。并且在电站端的实际测试中，PERC组件比常规组件每瓦发电量高出3%左右。
PERC组件比一般组件多发电的原理，在于其***的低辐照性能，更好的功率温度系数以及首年光衰问题的解决。
(1)低辐照
与AM1.5同样光谱分布的低辐照测试当中，PERC组件具有更高的相对转换效率，因小于标准光强下的相对效率主要由开路电压的变化来决定，常规电池的相对开路电压低于PERC电池，且光强越弱，两电池的暗饱和电流密度相差越大，短路电流相差越大，相对效率相差越多。
更重要的是，PERC电池红外波段的***效率***提高，尤其在1100~1200nm波段增加的发电不计入到标称功率当中。因此PERC组件在正常辐照下由于低辐照特性可以多发电，而在阴雨天以及早晚，相对常规组件的多发电优势更加明显。
(2)功率温度系数
一方面PERC电池的红外波段***效***，其电流温度系数略高;另一方面PERC电池的开路电压更高，电压温度系数(值)***。综合来看，PERC电池的功率温度系数(值)低于多晶和常规单晶。
(3)初始光衰
晶硅组件都存在光致衰减(LID)问题(从组件厂家的质保承诺来看，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%)，主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的“B-O对”导致组件功率降低。
采用了PERC技术后，光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集，“B-O对”与杂质、缺陷会产生更明显影响，导致5%以上的LID。通过降低硅片氧含量、改变掺杂剂、对电池进行退火处理等措施，可以将PERC电池的光衰***降低，例如单晶PERC组件可以达到2%以下的首年功率衰减。
目前，在PERC电池技术方面比较***的公司有天合光能等。在“***”计划中，国家对电池组件的效率提出了多晶不低于16.5%，单晶不低于17.5%的目标要求，现在天合光能量产的PERC单、多晶电池的效率分别已经达到21.1%和20.16%，远远超过这一要求，走到了***端。目前，天合光能已经在黄金线上实现22.61%电池效率和300W组件功率的稳定生产，并即将全面投入量产。
黑硅技术
黑硅对光伏行业来讲，不是一个新技术。不过，黑硅技术近期的进展可能归结于两个主要因素：***，金刚线切割能够大幅度的降低多晶硅片成本，但传统的酸制绒导致电池效率降低，而黑硅制绒可以很大幅度上解决金刚线切割带来了制绒工艺上的困难。***，黑硅技术的设备成本降低，电池和组件端的进步也促进了该技术的发展。
黑硅除了能解决外观问题之外，还能形成奈米级的凹坑、增加入射光的捕捉量，降低多晶电池片的光反射率以推升转换效率。故金刚线切搭配黑硅技术的工艺，能同时兼顾硅片端降本与电池片端提效两方面。
目前黑硅技术主要分成干法制绒的离子反应法(Reactive Ion Etching，RIE)技术，以及湿法制绒的金属催化化学腐蚀法(Metal Catalyzed Chemical Etching，MCCE)。
以现有设备来看，RIE技术因效率提升较高、已有量产实绩等因素较被市场接受，然而其机台价格昂贵，让不少欲进入者踌躇不前。湿法MCCE方面，虽然机台价格远低于干法制绒，但现有技术尚未成熟，容易导致外观颜色不均、转换效率较低、废液难以回收等议题，目前仍无法解决。
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